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8/20半導體/手機配件低電壓雷擊浪涌發(fā)生器

雷擊浪涌發(fā)生器技術參數(shù)
1、 雷擊浪涌發(fā)生器介紹
雷擊浪涌發(fā)生器SOSIN 8/20專門針對防浪涌保護等半導體器件及通信產(chǎn)品而設計的防浪涌測試產(chǎn)品，產(chǎn)品符合IEC61000-4-5和GB/T17626.5及 GR-1089-CORE等相關標準要求。
2、 產(chǎn)品設計制造依據(jù)標準
l GB/T 17626.5-2008《電磁兼容試驗和測量技術 浪涌(沖擊)抗擾度試驗》
lIEC61000-4-5：Testing and measurement techniques-Surge immunity test

3、 產(chǎn)品特點
●7寸彩色觸摸屏；
●支持中英文語言，方便不同用戶使用；
●內(nèi)置環(huán)境自動檢測程序；

1. 產(chǎn)品技術參數(shù)
2. 主機技術參數(shù)
3. 符合標準 GB/T 17626.5、IEC61000-4-5、GR-1089-CORE
4. 操作方式 7英寸彩色觸摸屏
5. 浪涌波形 開路電壓波：1.2±30% /50μs ±20% 
6. 短路電流波：8±30% /20 μs±20% 
7. 開路電壓 2～1000V±10%
8. 短路電流 1～500A
9. 浪涌極性 正 / 負，正負交替
10. 輸出阻抗 2 Ω
11. 輸出模式 通電測試、脫電測試
12. 耦合/去耦網(wǎng)絡 內(nèi)置，8A
13. 次數(shù) 1～9999 次
14. 間隔時間 3～9999s
15. 工作電源 AC220V 50/60Hz
16. 環(huán)境溫度 15 ℃～35 ℃
17. CDN技術參數(shù)
18. 耦合浪涌電壓 5～±660V
19. 耦合電容 9uF / 18uF
20. 去耦電感 1.5mH
21. 共模電阻 10Ω
22. 容量 DC 1～300V，5A

4、 雷擊浪涌發(fā)生器實測波形
1.開路1.2/50μS電壓波形                       2.短路8/20μS電流波形